Enligt branschkällor som citeras av ZDNet, omvärderar Samsung Electronics syftet med NRD-K Line 2, som byggs på dess Giheung-campus. Företaget överväger att konvertera den ursprungligen planerade forsknings- och utvecklingslinjen till en gjuteriproduktionslinje som är avsedd för tillverkning av 2nm logik bas-dies för nästa generations högbandbreddsminne (HBM). Detta steg är avsett att förbereda för den snabbt växande efterfrågan på HBM från stora kunder som Nvidia.
Enligt branschkällor som citeras av ZDNet, omvärderar Samsung Electronics syftet med NRD-K Line 2, som byggs på dess Giheung-campus. Företaget överväger att konvertera den ursprungligen planerade forsknings- och utvecklingslinjen till en gjuteriproduktionslinje som är avsedd för tillverkning av 2nm logik bas-dies för nästa generations högbandbreddsminne (HBM). Detta steg är avsett att förbereda för den snabbt växande efterfrågan på HBM från stora kunder som Nvidia.
NRD-K Line 2 designades ursprungligen för avancerad processutveckling. Enligt den senaste planen skulle anläggningen främst förse med bas-dies för anpassade HBM-produkter och HBM5 efter att ha börjat driftsätta. Samsung har beslutat att tillverka HBM5 bas-dies med en 2nm-process baserad på sin gate-all-around (GAA) arkitektur. Nästa generations produkter förväntas leverera dataöverföringshastigheter mer än 50% högre än HBM4E, vilket gör konventionella bas-die-designs alltmer oförmögna att möta krav på bandbredd och strömförbrukning. Seoul Economic Daily rapporterade tidigare att Samsung offentligt avslöjade detaljer om sin HBM5-lösning för första gången i juni i år.
Linjen är planerad att påbörja driftsättning under andra halvåret 2028. Källor uppgav att eftersom anläggningen är relativt liten, kommer den troligtvis att driva under en "send-fab"-modell som en kompletterande tillverkningsanläggning. Istället för att hantera hela wafer-tillverkningsprocessen oberoende skulle den ta emot wafers från Samungs primära produktionslinjer med hög volym och utföra endast utvalda processteg. Anläggningen skulle komplettera Samsungs avancerade kapaciteter istället för att fungera som en komplett, fristående produktionslinje.
Projektet ligger fortfarande ungefär två år från sin målsatta lansering, och den slutgiltiga planen har ännu inte godkänts. Även om det interna förslaget till stor del är på plats har inga utrustningsköp beordrats. Investeringsbeloppet och anläggningens slutgiltiga syfte kan fortfarande justeras som svar på förändringar i efterfrågan på halvledarmarknaden.
NRD-K är ett integrerat avancerat forsknings- och utvecklingskomplex som byggs av Samsung med en investering på cirka 20 biljoner vinner. Platsen är planerad att inkludera tre produktionslinjer. Linje 1 färdigställdes i slutet av 2024, medan inledande markberedning för Linje 2 började i år och grundarbetet pågår för närvarande.
Samsungs potentiella konvertering av en FoU-linje till en dedikerad gjuterilinje för HBM bas-dies speglar dess strategi för att stärka samordningen mellan dess minnes- och gjuteriverksamheter. HBM5 och anpassade HBM-produkter designade för Nvidias nästa generations Feynman-GPU:er kommer att kräva högpresterande logik bas-dies. Om Samsung kan producera dessa 2nm bas-dies internt, kan det stärka sin konkurrensställning och få större kontroll över produktionskapacitet för en kärnkomponent i HBM.