Välj ditt land eller region.

Samsung säger att HBM5 kommer att använda 2nm GAA-processen, leverera över 50 % prestandaförbättring jämfört med HBM4E

HBM4E

Den 27 juli släppte Samsung Electronics en officiell intervju med Koo Ja-hyun, chef för teknikontroll i företagets halvledarverksamhet. I intervjun skisserade Samsung för första gången processarkitekturen, förväntade prestandaförbättringar och målapplikationer för sin nästa generations HBM5 högbandbreddsminne, och erbjöd tydligare vägledning för branschens HBM-vägkarta.

Koo sa att HBM5 förväntas gå mer än 50 % snabbare än den för närvarande massproducerade HBM4E-generationen. Den centrala basdie kommer att tillverkas med hjälp av en 2-nanometer gate-all-around transistorprocess och kombineras med ytterligare uppgraderad, högintegrerad genom-silicium-via-teknologi. Designen syftar till att leverera prestandaförbättringar över transistorarkitektur, waferprocess teknik och staplade interkonnektioner.

Samsung kommer att bygga vidare på den processerfarenhet och massproduktionskapacitet de har fått från att producera HBM4 basdieder på sin 4-nanometernod. Genom att introducera en avancerad 2-nanometerprocess i HBM5 i förväg syftar företaget till att stärka sin teknologiska position på marknaden för högpresterande AI-minne.

När det gäller marknadsexpansion planerar Samsung att använda HBM5 som en kärnprodukt för att utvidga sin kundabaser över flera marknader. Utöver att stödja AI-stora modeller träning och högpresterande databehandlingsapplikationer förväntas produkten sträcka sig till mobila enheter, fordons elektronik, humanoida robotar och andra framväxande segment. Genom sina högpresterande minnesprodukter syftar Samsung till att tillgodose datorkrav över flera enhetskategorier och ytterligare utöka sitt halvledarekosystem.

Intervjun återspeglar Samsungs nuvarande planer för teknik utveckling. Företaget avslöjade inte detaljer om avkastningsökningen för sin 2-nanometer GAA-process, massproduktionsutmaningarna med högt integrerade TSV-stapling, eller schemat för provtagning och volymproduktion för HBM5.

Branschobservatörer förväntar sig allmänt att HBM5 kommer att bli en standardminneslösning för högpresterande AI-acceleratorer runt 2028. Ytterligare detaljer om produktspecifikationer, kundkvalifikationer och produktionskapacitet förväntas offentliggöras vid framtida teknikarrangemang eller resultatbrev från Samsung.