Den globala minnesmarknaden fortsätter att divergera, eftersom Sydkoreas två ledande minnestillverkare fokuserar på 1c DRAM- och HBM-kapacitetsutbyggnad samtidigt som den saktar ner takten i nästa generations NAND-blixtutveckling.Denna förändring har skapat ett värdefullt marknadsfönster för Kioxia-Sandisk-alliansen.
Enligt Global Economic, med hänvisning till det tyska teknikuttaget ComputerBase, kommer Kioxia och Sandisk att avsevärt öka sina NAND-investeringar och utnyttja sin teknologi och produktionskapacitet för att fånga efterfrågan på lagringsmarknaden för AI-datacenter.
Data visar att U.S.-Japan NAND-alliansen planerar att spendera 4,5 miljarder dollar i investeringar detta räkenskapsår, motsvarande 6,75 biljoner won, vilket är en ökning med 41 % jämfört med föregående år.Investeringen kommer främst att fokusera på tionde generationens BiCS-arkitektur NAND-produkter.
Enligt Nikkei planerar Kioxia att påbörja massproduktion av nästa generations NAND vid sin Kitakami-fabrik i Iwate Prefecture, Japan, 2026. Produktarkitekturen kommer att avancera från åttonde generationens 218-lagers NAND till 332-lagers NAND.Produktionen kommer att använda K2-linjen som startade sin verksamhet i september förra året, vilket gör att företaget kan utnyttja befintliga tillverkningsresurser bättre.
Den senaste kapacitetsexpansionen drivs av strukturell efterfrågetillväxt från AI-industrin.När AI-utvecklingen skiftar från utbyggnad av infrastrukturträning till storskalig slutledningsinstallation, fortsätter efterfrågan på högpresterande lagringsprodukter med hög kapacitet att öka.Stora molntjänstleverantörer allokerar mer datacenterinvesteringar till lagring, medan SSD-kapaciteten per GPU har fördubblats från år till år.Nästa generations AI-servrar är nu vanligtvis utrustade med tiotals terabyte lagring per GPU, vilket ytterligare driver efterfrågan på avancerad NAND.
Enligt ZDNet har Kioxia satt massproduktion av tionde generationens BiCS NAND som ett kärnmål för räkenskapsåret 2026. Jämfört med den tidigare generationen med 218 lager erbjuder den nya produkten en 59% ökning av lagringstätheten per ytenhet och en 33% förbättring av dataöverföringshastigheten.Dess främsta tekniska fördel ligger i att uppnå ultrahög lagringstäthet med färre staplade lager, vilket hjälper till att förenkla vertikal etsning, minska slitaget på avancerad utrustning, lägre skevningsdefekter på skivan och avsevärt förbättra produktionskostnaderna.Dess QLC-arkitektur kan nå en densitet på 37,6 Gb/mm², vilket överträffar Samsungs planerade 430-lagers V10-arkitekturprodukt.
I motsats till den aggressiva kapacitetsexpansionen från amerikanska och japanska företag, saktar koreanska minnestillverkare i stort sett ner sina NAND-teknologiska färdplaner.TrendForce-data visar att stora globala NAND-leverantörer förväntas lägga till liten eller ingen ny kapacitet under 2026. Samsung har skjutit upp massproduktion av sin tionde generationens 430-lagers NAND till efter 2027 och har ännu inte slutfört beställningar på utrustningsinköp.
Branschanalytiker tror att om Kioxia och Sandisk fortsätter att förbättra kostnaderna och påskynda införandet av QLC SSD:er av företagskvalitet, kan de ytterligare utöka sin andel av lagringsmarknaden för AI-datacenter.Samsung och SK hynix, med stöd av mogna nionde generationens produktavkastning och starka kundrelationer mellan myndigheter och företag, kommer att förbli mycket konkurrenskraftiga.Den globala NAND-industrin förväntas gå in i en ny fas av konkurrens.