ASML:s senior vice president och chef för High-NA EUV-produktledning, Greet Storms, sade nyligen att High-NA EUV-litografisystem snabbt avancerar mot högvolymtillverkning, eller HVM. I takt med att kundernas exponeringsvolymer ökar globalt har ASML optimerat teknologin för att nå produktionsklara nivåer av flottans produktivitet samtidigt som en kostnadseffektiv skalningsplan för halvledarindustrin har upprättats för det kommande decenniet.
Globala Wafer-exponeringar Överskrider 1,35 Miljoner när Systemen Visar HVM-prestanda
Storms sade att de kumulativa wafer-exponeringarna över den globala flotta av High-NA EUV, eller EXE, system har överstigit 1,35 miljoner, vilket accelererar processinlärningen och HVM-beredskapen. Ett kvalificerat EXE:5200B-system uppnådde en kapacitet på 135 wafers per timme under acceptanstester, vilket demonstrerar den produktivitet som krävs för högvolymtillverkning. Tio High-NA EUV-system installerade vid fyra kundsiter är för närvarande operativa globalt, medan tre ytterligare system skickas eller installeras.
Systemen har också visat stark maskin-till-maskin överläggningsnoggrannhet och fokusprestanda. Tillgängligheten över den globala High-NA EUV-flottan har ökat till 84 % och förväntas nå 90 % i slutet av 2026, med ett långsiktigt mål på 93 %. Genom att dra nytta av erfarenhet från sin etablerade NXE-plattform har ASML förbättrat diagnostiska kapabiliteter och infört åtgärder för att förhindra återkommande fel, vilket ökar systemets driftsstabilitet.
High-NA EUV Går In i Logikchipproduktion och Minskar Kostnader för Avancerade Processer Genom Enkel Mönstring
Storms sade också att High-NA EUV har nått ett stort milstolpe med sin första användning i högvolymproduktionen av logikchipp. För minnesskalning skulle High-NA-bildgivning kunna stödja den fortsatta utvecklingen av så många som fem framtida 2D DRAM-processnoder.
Jämfört med 0,33-NA EUV, som kan kräva komplexa och kostsamma fler-mönstringprocesser, möjliggör den högre upplösningen av 0,55-NA-system fler lager att produceras med enkel mönstring. Att ersätta flera mönstringar med en enda exponering kan minska processkomplexitet, defektfrekvens, cykeltid och totala tillverkningskostnader samtidigt som både processprestanda och ekonomisk hållbarhet vid mindre steg bibehålls.
ASML har också utvecklat tekniska lösningar för de tekniska utmaningarna som är förknippade med volymtillverkning. EXE-plattformen använder die-nivelleringsalgoritmer, fokuskorrektion och en 148 mm wafer-klemme design för att ge en förväntad fokustjockleksmarginal på mer än 30 nm samtidigt som den bibehåller kontrollprestanda som är jämförbar med NXE-plattformen.
För att hantera begränsningen av halvfältsexponeringar för High-NA EUV använder ASML en 175 μm Stitching Compensation Zone designad för högvolymtillverkning, vilket ger större designflexibilitet. I DRAM-tillämpningar krävs stitching endast för chipdesign med vissa udda numrerade kolumnkonfigurationer, medan jämnt numrerade konfigurationer inte kräver stitching.
High-NA EUV skapar också nya designalternativ för 2D-chiplayouter. Dess högre bildkontrast gör det möjligt att mönstra mindre steg i en enda exponering, vilket förbättrar anslutningsrouting och potentiellt minskar det totala antalet metallager som krävs. Till exempel skulle en enkelmönstrad 2D metallayout kunna ersätta en mer komplex struktur som tidigare krävde två metaller och ett via-lager, vilket ökar logikcellens densitet samtidigt som designens effektivitet förbättras.
Genomströmning Mål att Nå 180 WPH på en Stabil 10-årig Plattform
Framöver planerar ASML att fortsätta öka genomströmningen av sin EXE-plattform när den går från EXE:5200B till nästa generations EXE:5400E. Genom att öka EUV-källans kraft från 600 W till 1 000 W, accelerera wafer- och retikelhantering och införa PEP-lösningen, siktar ASML på att öka acceptanstestets genomströmning till 180 wafers per timme till 2030.
Storms tillade att ASML har etablerat en omfattande vägkarta för sin 0,55-NA EUV-teknologi, med en stabil plattformsarkitektur som förväntas stödja mer än ett decennium av utveckling. Genom att kombinera högre upplösning, enkelmönstringskapacitet, ökad produktivitet och större designflexibilitet är plattformen positionerad för att stödja halvledarindustriens långsiktiga avancerade nodskalningsplaner.