DSEP2X101-04A Datablad, alternativ och applikationer

Jan09

Bläddra: 217

DSEP2X101-04A, utvecklad av IXYS Corporation, är en kraftfull dubbeldiodmodul utformad för att hantera höga strömmar och spänningar effektivt.Den här enheten är perfekt för applikationer som behöver snabb och pålitlig krafthantering.Med sin snabba återhämtningstid på 30 nanosekunder och förmågan att hantera upp till 100 a framåtström och 400 V omvänd spänning är den exceptionellt effektiv för att minska effektförlust och förbättra systemets prestanda.

Katalog

1. DSEP2X101-04A Översikt

2. DSEP2X101-04A Funktioner

3. DSEP2X101-04A-specifikationer

4. DSEP2X101-04A Circuit Diagram

5. DSEP2X101-04A Alternativ

6. DSEP2X101-04A-applikationer

7. DSEP2X101-04A Fördelar

8. DSEP2X101-04A-paketkontur

9. Slutsats

DSEP2X101-04A-översikt

De DSEP2X101-04A är en dubbel diodmodul utformad av Ixys Corporation, förpackad i en SOT-227B (minibloc) och idealisk för applikationer som kräver snabb och effektiv krafthantering.Denna diod kännetecknas av dess förmåga att hantera upp till 100 en framåtström och 400 V omvänd spänning.Den har extremt låga omkopplingsförluster och en kort återhämtningstid på endast 30 nanosekunder, tack vare dess plana passiverade chips, som säkerställer låg läckström och optimalt termiskt beteende.

Den här enheten är mångsidig och fungerar som en antiparallell diod i högfrekventa enheter, en snubberdiod, frihjuldiod i omvandlare och motorstyrkretsar och som en likriktare i strömförsörjning av switch-läge (SMP).Den fungerar effektivt inom ett temperaturintervall av -40 ° C till +150 ° C, vilket erbjuder ett lågt spänningsfall, vilket förbättrar dess effektivitet i olika applikationer.För företag som vill förbättra system med pålitliga och robusta dioder kan du överväga att beställa bulkorder för DSEP2X101-04A för att säkerställa att inventeringen uppfyller de högsta standarderna.

DSEP2X101-04A-funktioner

DSEP2X101-04A-dioden innehåller flera viktiga funktioner som förbättrar dess prestanda:

• Plant passiverade chips: Denna designteknik innebär att skapa en enhetlig, plan yta på halvledarmaterialet och applicera ett passiveringsskikt för att skydda chipet från miljöfaktorer.Det förbättrar diodens tillförlitlighet och prestanda genom att minska ytrekombinationen och skydda mot föroreningar.

• Mycket låg läckström: Dioden uppvisar minimalt strömläckage när det är omvänt, vilket förbättrar effektiviteten och minskar effektförlusten i elektroniska kretsar.

• Mycket kort återhämtningstid: Med en återhämtningstid på cirka 30 nanosekunder kan dioden växla från att leda till icke-ledande tillstånd snabbt, vilket gör den lämplig för högfrekventa applikationer.

• Förbättrat termiskt beteende: Enheten är utformad för att hantera värmeavledningen effektivt, vilket gör att den kan fungera pålitligt under höga strömförhållanden utan termisk nedbrytning.

• Mycket låga IRM-värden: Dioden har låg topp omvänd återvinningsström (IRM), vilket minskar elektromagnetisk störning (EMI) och förbättrar den totala kretsprestanda.

• Mycket mjukt återhämtningsbeteende: Denna karakteristik säkerställer en smidig övergång från ledande till icke-ledande tillstånd, minimerar spänningsspikar och minskar brus i kretsen.

• Avalanche -spänning klassad för tillförlitlig drift: Dioden är utformad för att motstå höga omvända spänningar utan att bryta ner, vilket säkerställer tillförlitlig prestanda även under krävande förhållanden.

• Mjuk omvänd återhämtning för låg EMI/RFI: Den mjuka återhämtningsfunktionen minimerar genereringen av elektromagnetisk interferens (EMI) och radiofrekvensstörningar (RFI), vilket bidrar till renare signalbehandling.

• Låg IRM minskar kraftavledningen inom dioden och påslag för förlust i pendlingsomkopplaren: Genom att bibehålla en låg topp omvänd återvinningsström minskar dioden intern effektförlust och minskar den energi som krävs för att slå på den medföljande transistorn, vilket förbättrar den totala systemeffektiviteten.

DSEP2X101-04A-specifikationer

Symbol	Definition	Villkor	Betyg	Enhet
V_RSM	Max. icke-repetitiva omvänd blockeringsspänningar	TVJ = 25∘C	400	V
V_Rrm	Max. repetitiv omvänd blockeringsspänning	TVJ = 25∘C	400	V
Jag_R	Motsatt aktuell, dränera ström	V_R= 400V, TVJ = 25∘C/150∘C	01-april	ma
V_F	Fram spänningsfall	Jag_F= 100a/200a, TVJ = 25∘C/150∘C	1,54–1,95 / 1.22–1.73	V
Jag_Favorit	Genomsnitt framåtström	T_C= 45∘C, rektangulär vågform d = 0,5	100	En
V_F0	Tröskel spänning	För makt Endast förlustberäkning, TVJ = 150∘C	0,72	V
r_f	Sluttning motstånd	För makt Endast förlustberäkning, TVJ = 150∘C	5	mΩ
R_thjc	Termisk motstånd, korsning mot fall	-	0.6	K/w
R_thch	Termisk motstånd, fall till kylfläns	-	0.1	K/w
P_total	Total kraft spridning	T_C= 25∘C	200	W
Jag_Fsm	Max.fram spökström	t = 10ms, 50Hz, sinusvåg, v_R= 0v	1	ka
C_J	Korsning kapacitans	V_R= 200V, F = 1MHz	182	pf
Jag_Rm	Max.motsatt återhämtningsström	Jag_F= 100a, VR = 200V, −DI/dT = 600A/µs	16	En
t_rr	Motsatt återhämtningstid	TVJ = 25∘C/100∘C	30/85	ns

DSEP2X101-04A Circuit Diagram

Kretsdiagrammet för DSEP2X101-04A representerar en dubbel-diotkonfiguration.Enheten består av två dioder placerade i separata kretsar, med varje diod orienterad för att hantera ström i en specifik riktning.Terminaler 2 och 3 är katoderna, medan terminaler 1 och 4 är anoderna.Detta arrangemang gör det möjligt för dioderna att fungera oberoende, vilket gör komponenten mångsidig för applikationer som kräver dubbel korrigering eller dubbelriktad strömkontroll.Den streckade lådan betyder att båda dioderna är inkapslade i samma paket, och erbjuder en kompakt lösning för effektiv kretsdesign.

DSEP2X101-04A-alternativ

• STTH120R04TV1

• STTH20004TV1

• AMDSEP2X101-04A

DSEP2X101-04A-applikationer

Antiparallell diod för högfrekvensomkopplare

I denna roll är dioden ansluten parallellt med omkopplingsanordningar som transistorer men orienterade i motsatt riktning.Denna konfiguration tillåter den att utföra omvända strömmar under omkopplingshändelser, och därigenom skyddar huvudenheten och förbättrar den totala omkopplingsprestanda.

Antisättningsdiode

Här förhindrar dioden en transistor från att komma in i djup mättnad genom att tillhandahålla en väg för överskottsbas laddare att spridas.Detta leder till snabbare avstängningstider för transistor och förbättrad kretseffektivitet.

Snubberdiod

I snubberkretsar arbetar dioden för att undertrycka spänningsspikar orsakade av induktiva belastningar under växling.Det hjälper till att skydda känsliga komponenter från potentiella skador på grund av dessa transienter.

Frihjuldiod

När den används i motorstyrkretsar och omvandlare ger dioden en sökväg för strömmen när huvudomkopplingsanordningen är avstängd.Denna åtgärd förhindrar spänningsspikar och säkerställer kontinuerligt strömflöde genom induktiva belastningar, vilket förbättrar systemets tillförlitlighet.

Rikterare i Switch-Mode-strömförsörjning (SMP)

Dioden används i korrigeringsprocessen inom SMP: er och konverterar växelström (AC) till likström (DC).Dess snabba återhämtningstid och låga spänningsfall bidrar till högre effektivitet och minskad värmeproduktion i strömförsörjningen.

Oavbruten strömförsörjning (UPS)

Inom UPS -system är dioden effektiva för att säkerställa en sömlös övergång mellan huvudströmkällan och säkerhetskopieringsbatteriet.Det hjälper till att upprätthålla en jämn strömförsörjning till anslutna belastningar under strömavbrott.

DSEP2X101-04A-fördelar

DSEP2X101-04A-dioden har a Mycket kort återhämtningstid på cirka 30 nanosekunder, vilket gör det idealiskt för högfrekventa applikationer.Denna snabba växlingsförmåga minimerar förluster och ökar den totala effektiviteten.Dessutom har den en Låg omvänd återhämtningsström, vilket minskar maktavledningen och förbättrar prestandan i kretsar där energibesparing krävs.

Denna diod har också en mjuk återhämtningsbeteende, som är effektivt för att mildra elektromagnetisk interferens (EMI) och radiofrekvensstörningar (RFI).Detta bidrar till renare signalbehandling och säkerställer att den uppfyller elektromagnetiska kompatibilitetsstandarder.När det gäller hållbarhet kan det tåla överspänningsströmmar upp till 1000 a, erbjuder tillförlitlighet i situationer med höga inrush -strömmar eller övergående förhållanden.

Diodens konstruktion inkluderar plana passiverade chips, som säkerställer låg läckström och överlägset termiskt beteende och därmed utvidga enhetens tillförlitlighet och livslängd.Det är inrymt i ett isolerat paket (SOT-227B), ett standard minibloc -paket som tillhandahåller elektrisk isolering Upp till 2500 V. Denna funktion gör det inte bara säkrare utan förenklar också integration i olika kretskonstruktioner, vilket förbättrar den totala säkerheten.

DSEP2X101-04A-paketkontur

DSEP2X101-04A Package Outline

DSEP2X101-04A är inrymt i ett SOT-227B (minibloc) -paket, med en kopparbasplatta med direkt kopparbunden (DCB) isolering, vilket ger en isoleringsspänning på 3000 V ~.Denna branschstandardkontur är ROHS-kompatibel, med Epoxy som uppfyller UL 94V-0-standarder, vilket säkerställer säkerhets- och miljööverensstämmelse.Enheten har också avancerade kraftcykelfunktioner och förbättrar dess tillförlitlighet i krävande applikationer.

Symbol	Definition	Villkor	Betyg	Enhet
Jag_Rms	Rms ström	Per terminal	Max: 100	En
T_vj	Virtuell korsningstemperatur	-	Min: -40, max: 150	° C
T_op	Driftstemperatur	-	Min: -40, max: 125	° C
T_stig	Lagringstemperatur	-	Min: -40, max: 150	° C
Vikt		-	30	g
M₀	Monteringsmoment	-	Min: 1.1, Max: 1.5	Nm
M_T	Terminalmoment	-	Min: 1.1, Max: 1.5	Nm
d_spapp	Krypavstånd på ytan / slående avstånd genom Luft	Terminal till terminal	Min: 10.5, Max: 3.2	mm
d_spbapp	Krypavstånd på ytan / slående avstånd genom Luft	Terminal till baksida	Min: 8.6, Max: 6.8	mm
V_Iso	Isoleringsspänning	t = 1 sekund, t = 1 minut, 50/60 Hz, i_Sol<1 mA	Max: 3000/2500	V

Slutsats

Sammanfattningsvis är DSEP2X101-04A ett förstklassigt val för alla som vill förbättra effektiviteten och tillförlitligheten hos sina elektroniska system.Dess funktioner, som snabb återhämtningstid, låg effektförlust och utmärkt termisk hantering, en idealisk komponent i olika elektroniska applikationer.Denna diod säkerställer att systemen körs smidigt och är hållbara, vilket gör det till ett värdefullt verktyg i modern elektronik.